Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED PAD LAYOUT FOR PowerPAK ? SC75-6L Single
1.250 (0.049)
0.250 (0.01)
0.250 (0.01)
0.500 (0.02)
0.400 (0.016)
0.300 (0.012)
0.180 (0.007)
0.370 (0.015)
1.700 (0.067)
1.100
(0.043)
0.620 (0.024)
2.000 (0.079)
0.200 (0.008)
0.300 (0.012)
0.300 (0.012)
1
0.545 (0.021)
0.670 (0.026)
0.250 (0.01)
2.000 (0.079)
Dimensions in mm/(Inches)
Return to Index
Document Number: 70488
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
13
相关PDF资料
SIB433EDK-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V SC-75-6
SIB452DK-T1-GE3 MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
SIB457EDK-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 20V PPAK SC75-6L
SIB914DK-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
SIE800DF-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
SIE802DF-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
SIE804DF-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 150V POLARPAK
SIE822DF-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK
相关代理商/技术参数
SIB414DK-T1-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 8V 7.9A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
SIB414DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 9.0A 13W 26mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB415DK 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIB415DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 9.0A 13W 87mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB417AEDK-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:P-CHANNEL 1.2-V (G-S) MOSFET - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P-CHAN 8V G-S PWRPACK 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Single P-Channel 8 V 0.032 O 11.3 nC Power Mosfet - PowerPAK SC-75-6L
SIB417DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 9.0A 13W 52mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB417EDK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB417EDK-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -8V 9A SC-75